Memblaze展示采用东芝XL-FLASH 3D SLC闪存的PBlaze5 X26 SSD

  • 日期:08-29
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3D SLC闪存的PBlaze5 X26 SSDSupernet我想昨天分享

随着流程制造等技术的发展,NAND闪存的容量现在越来越大,TLC颗粒的寿命现在得到很好的体现。所以现在对于更大的容量,多层堆叠TLC颗粒已经成为当前市场的主流,甚至QLC也在逐渐在市场上传播。但是,SLC等技术仍然具有应用前景。在去年的闪存峰会上,东芝公布了XL-FLASH技术。到今年,东芝将宣布包括批量生产在内的信息。

图片来自Anandtech

据Anandtech称,东芝首款XL-FLASH将采用128Gb裸片并分成16个平面,以提供比当前面向容量的3D NAND闪存更大的并行性。 XL-FLASH闪存的页面大小为4KB,也比目前的大多数3D NAND闪存小得多。但是,由于XL-FLASH单元仅存储1位而不是3位或4位(如TLC或QLC),因此小页面大小也正常。与此同时,东芝尚未公布擦除块大小,但它应该小于目前的大容量NAND闪存。

性能是东芝推出XL-FLASH的关键,XL-FLASH表示其读取延迟小于5微秒,而3D TLC约为50微秒。这种改善仍然很大。

在此闪光峰会上,Memblaze还展示了第一款采用XL-FLASH闪存的超低延迟SSD,并将与英特尔的AoTeng和三星的Z-NAND闪存竞争。根据Anandtech的说法,Memblaze还使用该公司专有的SSD控制器和XL-FLASH。它声称PBlaze5 X26系列固态硬盘的4K随机写入延迟低于10微秒,4K圆形读写延迟低至26微秒。虽然它仍然高于英特尔的AoTang SSD,但价格应该相对便宜。

虽然目前的3D NAND闪存在顺序读写和容量方面有很大的改进,但在随机性能方面仍有很大的改进空间。英特尔推出了基于3D Xpoint的AoTeng SSD,而三星也推出了Z-NAND闪存,以提供更低的延迟和更好的性能。东芝也加入了高性能NAND芯片的开发和生产,未来高性能SSD市场的竞争将更加激烈。

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随着流程制造等技术的发展,NAND闪存的容量现在越来越大,TLC颗粒的寿命现在得到很好的体现。所以现在对于更大的容量,多层堆叠TLC颗粒已经成为当前市场的主流,甚至QLC也在逐渐在市场上传播。但是,SLC等技术仍然具有应用前景。在去年的闪存峰会上,东芝公布了XL-FLASH技术。到今年,东芝将宣布包括批量生产在内的信息。

图片来自Anandtech

据Anandtech称,东芝首款XL-FLASH将采用128Gb裸片并分成16个平面,以提供比当前面向容量的3D NAND闪存更大的并行性。 XL-FLASH闪存的页面大小为4KB,也比目前的大多数3D NAND闪存小得多。但是,由于XL-FLASH单元仅存储1位而不是3位或4位(如TLC或QLC),因此小页面大小也正常。与此同时,东芝尚未公布擦除块大小,但它应该小于目前的大容量NAND闪存。

性能是东芝推出XL-FLASH的关键,XL-FLASH表示其读取延迟小于5微秒,而3D TLC约为50微秒。这种改善仍然很大。

在此闪光峰会上,Memblaze还展示了第一款采用XL-FLASH闪存的超低延迟SSD,并将与英特尔的AoTeng和三星的Z-NAND闪存竞争。根据Anandtech的说法,Memblaze还使用该公司专有的SSD控制器和XL-FLASH。它声称PBlaze5 X26系列固态硬盘的4K随机写入延迟低于10微秒,4K圆形读写延迟低至26微秒。虽然它仍然高于英特尔的AoTang SSD,但价格应该相对便宜。

虽然目前的3D NAND闪存在顺序读写和容量方面有很大的改进,但在随机性能方面仍有很大的改进空间。英特尔推出了基于3D Xpoint的AoTeng SSD,而三星也推出了Z-NAND闪存,以提供更低的延迟和更好的性能。东芝也加入了高性能NAND芯片的开发和生产,未来高性能SSD市场的竞争将更加激烈。